Hej gæst

Log ind / Tilmeld

Welcome,{$name}!

/ Log ud
Dansk
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolski繁体中文SuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Hjem > Nyheder > Samsungs første 8-tommer GaN Wafer-produktionslinje forventes at begynde masseproduktion så tidligt som i andet kvartal

Samsungs første 8-tommer GaN Wafer-produktionslinje forventes at begynde masseproduktion så tidligt som i andet kvartal

Samsung

Ifølge en rapport fra det sydkoreanske medie The Elec forventes Samsungs første 8-tommer galliumnitrid (GaN) wafer-produktionslinje at gå ind i masseproduktion allerede i andet kvartal af 2026, med den oprindelige omsætning, der forventes at forblive under 100 milliarder won.

Rapporten bemærker, at Samsung har etableret et omfattende GaN-løsningsøkosystem, der dækker alt undtagen chipdesign og besidder evnen til selvstændigt at producere GaN epitaksiale wafere.

Derudover planlægger Samsung at lancere operationer for sin siliciumcarbid (SiC) krafthalvlederstøbelinje inden for dette år.Virksomheden besidder end-to-end-kapaciteter i SiC-segmentet, herunder design, som kan komplementere GaN-teknologi på tværs af forskellige spændingsområder.

Tidligere rapporter afslørede også, at Samsung har investeret omkring 100 til 200 milliarder won i avanceret procesudstyr, herunder Aixtrons MOCVD-systemer, for at understøtte behandlingen af ​​silicium-gallium- og galliumnitridskiver.