2019 Q2 Hynix vil producere anden generation 10nm proceshukommelse

  SK hynix afslørede for nylig, at selskabet vil øge sin første generations 10 nanometer fremstillingsproces (dvs. 1X nm) DRAM produktion og vil begynde at sælge sin anden generation 10 nanometer produktionsteknologi (også kendt som 1Y nm) i anden halvdel af år. Hukommelse. Fremskyndelse af overgangen til 10nm teknologi vil gøre det muligt for virksomheden at øge DRAM output, hvilket i sidste ende reducerer omkostningerne og forbereder næste generations hukommelse.

De første produkter, der fremstilles ved hjælp af SK Hynix 1Y nm produktionsteknologi, er dens 8 GB DDR4-3200 memory chip. Fabrikanten siger, at det kan reducere chipstørrelsen på 8GB DDR4-enheder med 20% og reducere strømforbruget med 15% sammenlignet med lignende enheder fremstillet ved hjælp af sin 1X nm-fremstillingsteknologi. Hertil kommer, at SK hynix kommende 8Gb DDR4-3200 chip har to vigtige forbedringer: et 4-faset clocking system og Sense forstærker kontrol teknologi.

Selvom disse teknologier er vigtige selv for DDR4 i år, siges det, at SK hynix vil bruge sin 1Y nm fremstillingsproces til fremstilling af DDR5, LPDDR5 og GDDR6 DRAM. Derfor skal Hynix hurtigst muligt opgradere sin anden generation 10 nanometer produktionsteknologi for at forberede sig på fremtiden.